作者：深圳市英能電氣有限公司
時間：2022-06-08
HiPIMS電源有很多的優(yōu)點(diǎn)，也有很多的缺點(diǎn)，它的沉積速率只有直流磁控濺射電源的15%-70%，還有時會有打弧現(xiàn)象，原因就是在脈沖期間，靶材上加較高的負(fù)靶壓，反而金屬離子重新回吸到靶面上，產(chǎn)生“回吸現(xiàn)象”，使沉積速率降低。
近年來電源廠商在改進(jìn)上做了很多的工作，包括以下幾方面：負(fù)極雙極脈沖，正負(fù)交變雙極脈沖電源，動態(tài)反向脈沖電源，脈沖尾部瞬時正電壓電源，HIPIMS與偏壓電源同步工作控制電源，沉積速率和膜層質(zhì)量上都有一定的進(jìn)步，所以有些生產(chǎn)電弧離子鍍的廠商也采用了HiPIMS技術(shù)，在沉積無氫DLC硬質(zhì)涂層獲得了新的突破。
HiPIMS電源近年不斷的發(fā)展，我司在這方面的領(lǐng)域也頗有研究，也有推出這方面的電源，歡迎大家垂詢！
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